西门子S7-400系列：

序号 定货号 注释

电源模块

1 6ES7 407-0DA02-0AA0 电源模块(4A)

2 6ES7 407-0KA02-0AA0 电源模块(10A)

3 6ES7 407-0KR02-0AA0 电源模块(10A)冗余

4 6ES7 407-0RA02-0AA0 电源模块(20A)

5 6ES7 405-0DA02-0AA0 电源模块(4A)

6 6ES7 405-0KA02-0AA0 电源模块(10A)

7 6ES7 405-0RA01-0AA0 电源模块(20A)

8 6ES7 971-0BA00 备用电池

CPU

9 6ES7 412-3HJ14-0AB0 CPU 412-3H; 512KB程序内存/256KB数据内存

10 6ES7 414-4HM14-0AB0 CPU 414-4H; 冗余热备CPU 2.8 MB RAM

11 6ES7 417-4HT14-0AB0 CPU 417-4H; 冗余热备CPU 30 MB RAM

12 6ES7 400-0HR00-4AB0 412H 系统套件包括 2 个CPU、1个H型中央机架、2个电源、2个1M 存储卡、4个同步模块、2根同步电缆，以及4个备用电池(PS407 10A)

13 6ES7 400-0HR50-4AB0 412H 系统套件包括 2 个CPU、1个H型中央机架、2个电源、2个1M 存储卡、4个同步模块、2根同步电缆，以及4个备用电池(PS405 10A)

14 6ES7 412-1XJ05-0AB0 CPU412-1,144KB程序内存/144KB数据内存

15 6ES7 412-2XJ05-0AB0 CPU412-2,256KB程序内存/256KB数据内存

16 6ES7 414-2XK05-0AB0 CPU414-2,512KB程序内存/512KB数据内存

17 6ES7 414-3XM05-0AB0 CPU414-3,1.4M程序内存/1.4M数据内存 1个IF模板插槽

18 6ES7 414-3EM05-0AB0 CPU414-3PN/DP 1.4M程序内存/1.4M数据内存 1个IF模板插槽

19 6ES7 416-2XN05-0AB0 CPU416-2,2.8M程序内存/2.8M数据内存

20 6ES7 416-3XR05-0AB0 CPU416-3,5.6M程序内存/5.6M数据内存 1个IF模板插槽

21 6ES7 416-3ER05-0AB0 CPU416-3PN/DP 5.6M程序内存/5.6M数据内存 1个IF模板插槽

22 6ES7 416-2FN05-0AB0 CPU416F-2,2.8M程序内存/2.8M数据内存

23 6ES7 416-3FR05-0AB0 CPU416F-3PN/DP,5.6M程序内存/5.6M数据内存

24 6ES7 417-4XT05-0AB0 CPU417-4,15M程序内存/15M数据内存

内存卡

25 6ES7 955-2AL00-0AA0 2 X 2M字节 RAM

26 6ES7 955-2AM00-0AA0 2 X 4M字节 RAM

27 6ES7 952-0AF00-0AA0 64K字节 RAM

28 6ES7 952-1AH00-0AA0 256K字节 RAM

29 6ES7 952-1AK00-0AA0 1M字节 RAM

30 6ES7 952-1AL00-0AA0 2M字节 RAM

31 6ES7 952-1AM00-0AA0 4M字节 RAM

32 6ES7 952-1AP00-0AA0 8M字节 RAM

33 6ES7 952-1AS00-0AA0 16M字节 RAM

34 6ES7 952-1AY00-0AA0 64M字节 RAM

35 6ES7 952-0KF00-0AA0 64K字节 FLASH EPROM

36 6ES7 952-0KH00-0AA0 256K字节 FLASH EPROM

37 6ES7 952-1KK00-0AA0 1M字节 FLASH EPROM

38 6ES7 952-1KL00-0AA0 2M字节 FLASH EPROM

39 6ES7 952-1KM00-0AA0 4M字节 FLASH EPROM

40 6ES7 952-1KP00-0AA0 8M字节 FLASH EPROM

41 6ES7 952-1KS00-0AA0 16M字节 FLASH EPROM

42 6ES7 952-1KT00-0AA0 32M字节 FLASH EPROM

43 6ES7 952-1KY00-0AA0 64M字节 FLASH EPROM

开关量输入模板

44 6ES7 421-7BH01-0AB0 开关量输入模块(16点,24VDC)中断

45 6ES7 421-1BL01-0AA0 开关量输入模块(32点,24VDC)

46 6ES7 421-1EL00-0AA0 开关量输入模块(32点,120VUC)

47 6ES7 421-1FH20-0AA0 开关量输入模块(16点,120/230VUC)

48 6ES7 421-7DH00-0AB0 开关量输入模块(16点,24V到60VUC)

开关量输出模板

49 6ES7 422-1BH11-0AA0 开关量输出模块(16点,24VDC，2A）

50 6ES7 422-1BL00-0AA0 32点输出，24VDC,0.5A

51 6ES7 422-7BL00-0AB0 32点输出，24VDC,0.5A,中断

52 6ES7 422-1FH00-0AA0 16点输出，120/230VAC，2A

53 6ES7 422-1HH00-0AA0 16点输出，继电器，5A

模拟量模块

54 6ES7 431-0HH00-0AB0 16路模拟输入，13位

55 6ES7 431-1KF00-0AB0 8路模拟输入，13位，隔离

56 6ES7 431-1KF10-0AB0 8路模拟输入，14位，隔离，线性化

57 6ES7 431-1KF20-0AB0 8路模拟输入，14位，隔离

58 6ES7 431-7QH00-0AB0 16路模拟输入，16位，隔离

59 6ES7 431-7KF00-0AB0 8路模拟输入，16位，隔离，热电偶

60 6ES7 431-7KF10-0AB0 8路模拟输入，16位，隔离，热电阻

61 6ES7 432-1HF00-0AB0 8路模拟输出，13位，隔离

功能模板

62 6ES7 450-1AP00-0AE0 FM450-1计数器模板

63 6ES7 451-3AL00-0AE0 FM451定位模板

64 6ES7 452-1AH00-0AE0 FM452电子凸轮控制器

65 6ES7 453-3AH00-0AE0 FM453定位模板

66 6ES7 455-0VS00-0AE0 FM455C闭环控制模块

67 6ES7 455-1VS00-0AE0 FM455S闭环控制模块

68 6DD1 607-0AA2 FM 458-1DP快速处理系统

69 6ES7 953-8LJ20-0AA0 用于FM458-1DP 基本模板 512KByte(

MC)

70 6ES7 953-8LL20-0AA0 用于FM458-1DP 基本模板 2MByte(MMC)

71 6ES7 953-8LM20-0AA0 用于FM458-1DP 基本模板 4MByte(MMC)

72 6DD1 607-0CA1 EXM 438-1 I/O扩展模板

73 6DD1 607-0EA0 EXM 448 通讯扩展模板

74 6DD1 607-0EA2 EXM 448-2 通讯扩展模板

75 6DD1 684-0GE0 SC64连接电缆

76 6DD1 684-0GD0 SC63连接电缆

77 6DD1 684-0GC0 SC62连接电缆

78 6DD1 681-0AE2 SB10端子模块

79 6DD1 681-0AF4 SB60端子模块

80 6DD1 681-0EB3 SB61端子模块

81 6DD1 681-0AG2 SB70端子模块

82 6DD1 681-0DH1 SB71端子模块

83 6DD1 681-0AJ1 SU12端子模块

84 6DD1 681-0GK0 SU13端子模块

通讯模板

85 6ES7 440-1CS00-0YE0 CP440通讯处理器

86 6ES7 441-1AA04-0AE0 CP441-1通讯处理器

87 6ES7 441-2AA04-0AE0 CP441-2通讯处理器

88 6ES7 963-1AA00-0AA0 RS232C接口模板

89 6ES7 963-2AA00-0AA0 20mA接口模板

90 6ES7 963-3AA00-0AA0 RS422/485接口模板

91 6ES7 870-1AA01-0YA0 可装载驱动 MODBUS RTU 主站

92 6ES7 870-1AB01-0YA0 可装载驱动 MODBUS RTU 从站

93 6GK7 443-5FX02-0E0 CP443-5基本型通讯处理器,支持Profibus-Fms协议

94 6GK7 443-5DX04-0E0 CP443-5扩展型通讯处理器,支持Profibus-DP协议

95 6GK7 443-1EX11-0E0 CP443-1 以太网通讯处理器

96 6GK7 443-1EX41-0E0 CP443-1 以太网通讯处理器

附件

97 6ES7 960-1AA04-0A0 冗余系统同步模板（新）近距离同步（10米以内）

98 6ES7 960-1AB04-0A0 冗余系统同步模板（新）远程同步模板（10米到10公里，用同长度的光缆）

99 6ES7 960-1AA04-5AA0 冗余系统光纤连接电缆（1米）（新）

100 6ES7 960-1AA04-5BA0 冗余系统光纤连接电缆（2米）（新）

101 6ES7 960-1AA04-5KA0 冗余系统光纤连接电缆（10米）（新）

102 6ES7 833-1CC01-0YA5 S7F系统可选软件包

103 6ES7 833-1CC00-6YX0 F运行授权

104 6ES7 197-1LA03-0A0 Y-link

105 6ES7 492-1AL00-0AA0 前连接器

106 6ES7 400-1TA01-0AA0 主板(18槽)

107 6ES7 400-1JA01-0AA0 主板(9槽)

108 6ES7 400-1TA11-0AA0 主板(18槽)铝板

109 6ES7 400-1JA11-0AA0 主板(9槽)铝板

110 6ES7 401-2TA01-0AA0 CR2主板（18槽）

111 6ES7 400-2JA00-0AA0 UR2-H主板（18槽）

112 6ES7 400-2JA10-0AA0 UR2-H主板（18槽）铝板

113 6ES7 403-1TA01-0AA0 ER1机架（18槽）

114 6ES7 403-1JA01-0AA0 ER2机架（9槽）

115 6ES7 403-1TA11-0AA0 ER1机架（18槽）铝板

116 6ES7 403-1JA11-0AA0 ER2机架（9槽）铝板

117 6ES7 460-0AA01-0AB0 IM460-0

118 6ES7 461-0AA01-0AA0 IM461-0

119 6ES7 468-1AH50-0AA0 连接电缆  (0.75米）

120 6ES7 468-1BB50-0AA0 连接电缆 (1.5米）

121 6ES7 461-0AA00-7AA0 终端器

122 6ES7 460-1BA01-0AB0 IM460-1

123 6ES7 461-1BA01-0AA0 IM461-1

124 6ES7 468-3AH50-0AA0 468-3连接电缆  (0.75米）

125 6ES7 468-3BB50-0AA0 468-3连接电缆 (1.5米）

126 6ES7 460-3AA01-0AB0 IM460-3

127 6ES7 461-3AA01-0AA0 IM461-3

128 6ES7 468-1BF00-0AA0 468-1连接电缆（5米）

129 6ES7 468-1CB00-0AA0 468-1连接电缆（10米）

130 6ES7 468-1CC50-0AA0 468-1连接电缆（25米）

131 6ES7 468-1CF00-0AA0 468-1连接电缆（50米）

132 6ES7 468-1DB00-0AA0 468-1连接电缆（100米）

133 6ES7 461-3AA00-7AA0 终端器

134 6ES7 463-2AA00-0AA0 IM463-2接口模块

135 6ES7 964-2AA04-0AB0 IF-964 DP接口模块

手机厂商为了兼顾手机轻薄外观的市场需求，电池容量设计以3,000 ~4,000mAh为主流，因此，可缩短充电时间的快充技术应运而生。目前市场上主要的快充方案有高通(Qualcomm)的Quick Charge、联发科技(MediaTek)的Pump Express，以及OPPO的VOOC等。

市场主要快充方案

高通以提高充电电压来缩短充电时间，从早的QC 1.0 5V/2A (功率10W)充电规格，到QC 2.0兼容5V/9V/12V/20V四种充电电压及3A的充电电流(功率18W)，再到QC 3.0支持3.6V~20V的工作电压动态调节(功率22W)，比传统5V/1A充电技术快了4倍。

联发科技与高通Quick Charge相似，以恒定电流及提高充电电压至5~20V来实现更大的充电功率，的Pump Express 3.0宣称能在20分钟内将2,500mAh的电池从0%充到70%，比传统5V/1A充电技术快5倍。而OPPO则保持5V充电电压，提高充电电流至5A的方式来实现快速充电，宣称只需5分钟就可将容量3,000mAh的电池充入48%的电量。

为了缩短手机或是笔记本电脑等3C产品的充电时间，无论是提高充电电压，还是充电电流，各家快充技术的本质都在于提高充电器的功率，由早期5W提高至22W，甚至未来USB Power Delivery充电协议，功率可达100W (20V/5A)，大幅缩短充电时间，因此，大功率充电器需求量增加在未来是可预期的。随着电源功率的提高，电池势必变得体积更大、重量更重，因此业界在半导体构造及封装的研究与改良上，持续投入了许多精力。

氮化镓半导体

近年来，金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)已经成为切换电源的主要功率组件，从场效晶体管(FET)、双极结型晶体管(BJT)、MOSFET、到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，现在出现了氮化镓(GaN)晶体管，可让切换电源的体积大幅缩小。

例如，Navitas半导体推出尺寸的65W USB-PD (Type-C)电源转换器参考设计NVE028A，正是使用了GaN晶体管，相较于市面上现有基于硅(Si)功率组件的适配器尺寸[约98-115cc (6-7in3)，重量约300g]，Navitas基于AllGaN功率IC的65W适配器体积仅45cc (2.7 in3)，重量约60g，相当轻薄迷你。

就目前硅功率组件的切换电源来看，提高脉冲宽度调制(PWM)切换频率虽可缩小电源体积，但伴随着损耗提高而降低其转换效率，及电磁干扰(EMI)的增加，需投入更多的EMI解决对策，因此业界以65kHz为一折衷的选择。

虽然GaN晶体管具有切换速度快、导通损耗低、功率密度高等特性上的优势，但用户直接将电路中的MOSFET换成GaN FET，其成效往往不符合预期，原因在于须以GaN晶体管为设计中心，选择电路线路架构及控制方法，才能将GaN晶体管的优势充分发挥。Navitas AllGaN功率IC，将GaN FET、IC与驱动电路及逻辑电路做了高密度的整合，简化复杂的线路设计，让设计者可以很容易的应用并发挥其特性。

碳化硅半导体

除了GaN，碳化硅(SiC)是目前发展较成熟的宽能隙(WBG)半导体材料，在新一代电源中扮演了重要的角色，与传统硅半导体相比，可应用在较高频率、电压与温度的严苛环境下，还可达到低耗损高效率的特性。随着对环境保护的重视，电子产品效率要求的提高，让GaN与SiC成为世界各国半导体业研究的重点。

硅基IGBT一般工作于20kHz以下的频率，受到材料特性的限制，高压高频的硅功率组件难以被实现，而碳化硅MOSFET不仅适合600V~10kV的工作电压范围，同时具备优异的开关特性，能达到更低的开关损耗及更高的工作频率，如20kHz的SiC MOSFET损耗可以比3kHz的Si IGBT低一半，50A的SiC就可以代替150A的Si IGBT，SiC MOSFET的反向电荷Qrr也只有同规格Si MOSFET的5%，显示SiC有传统硅无可相比的优异特性。

另外，在SiC肖特基二极管(SiC SBD)方面，它具有理想的反向恢复特性，当二极管由正向导通转变为逆向关闭时，SiC肖特基二极管极小的反向恢复电流可工作于更高的频率，在相同频率下也能有更高的效率。且SiC肖特基二极管具有正温度系数的特性，当组件温度上升时，正向压降VF也随之变大，此特性若在并联使用时，可避免组件发生热失控(thermal runaway)的状况，因此拥有更高的工作温度，以及组件高温可靠性，故广泛应用于开关电源中功率因素校正(PFC)电路上，PFC电路工作于300kHz以上，可缩小电感组件尺寸，使用SiC SBD可维持相同的工作效率。

在Si功率组件发展的相对成熟的情况下，GaN与SiC功率组件虽具有特性上的优势，但在工艺上，其开发成本的花费要求仍较高，也因此GaN与SiC功率器件的应用至今仍未真正的普及。

贴片型桥式整流器的优势

为应对未来小尺寸、大功率适配器及快速充电器领域的开发，除了依赖前述氮化镓和碳化硅半导体的持续发展，就目前的硅功率组件来说，在电源输入端的桥式整流器，用于充电器及电源适配器的交流(AC)输入端作全波整流功能，其封装形式也逐渐由体积较大的插件式，发展为轻薄短小的贴片型小尺寸封装。

例如智威科技(Zowie)的4A桥式整流器Z4GP40MH，正是使用了SuperChip片型二极管封装技术，将组件厚度由传统KBP插件式封装的3.5mm降低至1.3mm，组件尺寸也缩小至8.1?10.5mm，体积仅KBP插件式封装的17.5%，不仅可缩小组件尺寸节省空间，也符合高度有限制的特殊应用需求。

从以下安森美半导体(ON Semiconductor)的42W设计、德州仪器(TI)的45W与Navitas 65W设计的范例照片，就可看出电源适配器体积持续缩小的趋势，而且都使用了贴片型桥式整流器(蓝框标示处)。

图1：安森美半导体的42W、TI 45W与Navitas 65W充电器设计(由左而右)

贴片型桥式整流器采用SuperChip片型二极管封装技术，除了将二极管贴片型化，内部结构有别于业界的引线接合法(Wire Bonding)工艺，使用的是焊接(Solder Bonding)工艺，如图2的结构示意图，二极管晶粒焊接于上下两铜布线，铜布线连接到组件正负两端子，二极管晶粒产生的热，可由铜布线导到端子，其散热能力较引线结构更佳，降低应用时的组件温度。

图2：采用焊接工艺的SuperChip结构示意图

贴片型桥式整流器采用的芯片也具备关键性，二极管PN结以玻璃护封来降低反向漏电流，全切面玻璃护封(GPRC)技术将整流二极管PN结完整护封，具有高温漏电流较低的特性。

图3：GPRC与业界GPP晶粒示意图

如图4高温反向漏电流特性曲线所示，GPRC芯片在150℃环温测得高温漏电流约50μA，较GPP于125℃时的高温漏电流约100μA低，产品具有更高的芯片工作温度Tj (Tj=175℃ max.)，以及更好的产品可靠性。