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20个不同的CPU:

7种标准型CPU(CPU 312,CPU 314,CPU 315-2 DP,CPU 315-2 PN/DP,CPU 317-2 DP,CPU 317-2 PN/DP,CPU 319-3 PN/DP)

6 个紧凑型 CPU（带有集成技术功能和 I/O）（CPU 312C、CPU 313C、CPU 313C-2 PtP、CPU 313C-2 DP、CPU 314C-2 PtP、CPU 314C-2 DP）

5 个故障安全型 CPU（CPU 315F-2 DP、CPU 315F-2 PN/DP、CPU 317F-2 DP、CPU 317F-2 PN/DP、CPU 319F-3 PN/DP）

2种技术型CPU(CPU 315T-2 DP, CPU 317T-2 DP)

18种CPU可在-25°C 至 +60°C的扩展的环境温度范围中使用

具有不同的性能等级，满足不同的应用领域。

CPU  以下型号特价销售代理：

6ES7 312-1AE13-0AB0 CPU312，32K内存  

6ES7 312-5BE03-0AB0 CPU312C，32K内存 10DI/6DO  

6ES7 313-5BF03-0AB0 CPU313C，64K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO  

6ES7 313-6BF03-0AB0 CPU313C-2PTP，64K内存 16DI/16DO  

6ES7 313-6CF03-0AB0 CPU313C-2DP，64K内存 16DI/16DO  

6ES7 314-1AG13-0AB0 CPU314,96K内存  

6ES7 314-6BG03-0AB0 CPU314C-2PTP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO  

6ES7 314-6CG03-0AB0 CPU314C-2DP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO  

6ES7 315-2AH14-0AB0 CPU315-2DP, 128K内存  

6ES7 315-2EH13-0AB0 CPU315-2 PN/DP, 256K内存  

6ES7 317-2AJ10-0AB0 CPU317-2DP,512K内存  

6ES7 317-2EK13-0AB0 CPU317-2 PN/DP,1MB内存  

6ES7 318-3EL00-0AB0 CPU319-3 PN/DP,1.4M内存  

内存卡  

6ES7 953-8LF20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡 64kByte(MMC)  

6ES7 953-8LG11-0AA0 SIMATIC Micro内存卡128KByte(MMC)  

6ES7 953-8LJ20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡512KByte(MMC)  

6ES7 953-8LL20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡2MByte(MMC)  

6ES7 953-8LM20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡4MByte(MMC)  

6ES7 953-8LP20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡8MByte(MMC)  

开关量模板  

6ES7 321-1BH02-0AA0 开入模块（16点，24VDC）  

6ES7 321-1BH10-0AA0 开入模块（16点，24VDC）  

6ES7 321-1BH50-0AA0 开入模块（16点，24VDC，源输入）  

6ES7 321-1BL00-0AA0 开入模块（32点，24VDC）  

6ES7 321-7BH01-0AB0 开入模块（16点，24VDC，诊断能力）  

6ES7 321-1EL00-0AA0 开入模块（32点，120VAC）  

6ES7 321-1FF01-0AA0 开入模块（8点，120/230VAC）  

6ES7 321-1FF10-0AA0 开入模块（8点，120/230VAC）与公共电位单独连接  

6ES7 321-1FH00-0AA0 开入模块（16点，120/230VAC）  

6ES7 321-1CH00-0AA0 开入模块（16点，24/48VDC）  

6ES7 321-1CH20-0AA0 开入模块（16点，48/125VDC）  

6ES7 322-1BH01-0AA0 开出模块（16点，24VDC）  

6ES7 322-1BH10-0AA0 开出模块（16点，24VDC）高速  

6ES7 322-1CF00-0AA0 开出模块（8点，48-125VDC）  

6ES7 322-8BF00-0AB0 开出模块（8点，24VDC）诊断能力  

6ES7 322-5GH00-0AB0 开出模块（16点，24VDC，独立接点，故障保护）  

6ES7 322-1BL00-0AA0 开出模块（32点，24VDC）  

6ES7 322-1FL00-0AA0 开出模块（32点，120VAC/230VAC）  

6ES7 322-1BF01-0AA0 开出模块（8点，24VDC，2A）  

6ES7 322-1FF01-0AA0 开出模块（8点，120V/230VAC）  

6ES7 322-5FF00-0AB0 开出模块（8点，120V/230VAC，独立接点）  

6ES7 322-1HF01-0AA0 开出模块（8点,继电器,2A）  

6ES7 322-1HF10-0AA0 开出模块（8点,继电器,5A，独立接点）  

6ES7 322-1HH01-0AA0 开出模块(16点,继电器)  

6ES7 322-5HF00-0AB0 开出模块（8点,继电器,5A，故障保护）  

6ES7 322-1FH00-0AA0 开出模块（16点，120V/230VAC）  

6ES7 323-1BH01-0AA0 8点输入，24VDC；8点输出，24VDC模块  

6ES7 323-1BL00-0AA0 16点输入，24VDC；16点输出，24VDC模块  

模拟量模板  

6ES7 331-7KF02-0AB0 模拟量输入模块(8路，多种信号)  

6ES7 331-7KB02-0AB0 模拟量输入模块(2路，多种信号)  

6ES7 331-7NF00-0AB0 模拟量输入模块(8路，15位)  

6ES7 331-7NF10-0AB0 模拟量输入模块(8路，15位)4通道模式  

6ES7 331-7HF01-0AB0 模拟量输入模块(8路，14位，快速)  

6ES7 331-1KF01-0AB0 模拟量输入模块(8路, 13位)  

6ES7 331-7PF01-0AB0 8路模拟量输入,16位,热电阻  

6ES7 331-7PF11-0AB0 8路模拟量输入,16位,热电偶  

6ES7 332-5HD01-0AB0 模拟输出模块(4路)  

6ES7 332-5HB01-0AB0 模拟输出模块(2路)  

6ES7 332-5HF00-0AB0 模拟输出模块(8路)  

6ES7 332-7ND02-0AB0 模拟量输出模块(4路，15位)  

6ES7 334-0KE00-0AB0 模拟量输入(4路RTD)/模拟量输出（2路）  

6ES7 334-0CE01-0AA0 模拟量输入(4路)/模拟量输出（2路）  

附件  

6ES7 365-0BA01-0AA0 IM365接口模块  

6ES7 360-3AA01-0AA0 IM360接口模块  

6ES7 361-3CA01-0AA0 IM361接口模块  

6ES7 368-3BB01-0AA0 连接电缆 (1米)  

6ES7 368-3BC51-0AA0 连接电缆 (2.5米)  

6ES7 368-3BF01-0AA0 连接电缆 (5米)  

6ES7 368-3CB01-0AA0 连接电缆 (10米)  

6ES7 390-1AE80-0AA0 导轨(480mm)  

6ES7 390-1AF30-0AA0  

6ES7 390-1AJ30-0AA0 导轨(830mm)  

6ES7 390-1BC00-0AA0 导轨(2000mm)  

6ES7 392-1AJ00-0AA0 20针前连接器  

6ES7 392-1AM00-0AA0 40针前连接器  

功能模板  

6ES7 350-1AH03-0AE0 FM350-1 计数器功能模块  

6ES7 350-2AH00-0AE0 FM350-2 计数器功能模块  

6ES7 351-1AH01-0AE0 FM351 定位功能模块  

6ES7 352-1AH02-0AE0 FM352 电子凸轮控制器+组态包光盘  

6ES7 355-0VH10-0AE0 FM355C 闭环控制模块  

6ES7 355-1VH10-0AE0 FM355S 闭环控制系统  

6ES7 355-2CH00-0AE0 FM355-2C 闭环控制模块  

6ES7 355-2SH00-0AE0 FM355-2S 闭环控制模块  

6ES7 338-4BC01-0AB0 SM338位置输入模块  

6ES7 352-5AH00-0AE0 FM352-5高速布尔处理器  

6ES7 352-5AH00-7XG0 FM352-5功能软件包  

通讯模板  

6ES7 340-1AH02-0AE0 CP340 通讯处理器（RS232）  

6ES7 340-1BH02-0AE0 CP340 通讯处理器（20mA/TTY）  

6ES7 340-1CH02-0AE0 CP340 通讯处理器（RS485/RS422）  

6ES7 341-1AH01-0AE0 CP341 通讯处理器（RS232）  

6ES7 341-1BH01-0AE0 CP341 通讯处理器（20mA/TTY）  

6ES7 341-1CH01-0AE0 CP341 通讯处理器（RS485/RS422）

6ES7 870-1AA01-0YA0 可装载驱动 MODBUS RTU 主站  

6ES7 870-1AB01-0YA0 可装载驱动 MODBUS RTU 从站  

6ES7 902-1AB00-0AA0 RS232电缆  5m  

6ES7 902-1AC00-0AA0 RS232电缆  10m  

6ES7 902-1AD00-0AA0 RS232电缆  15m  

6ES7 902-2AB00-0AA0 20mA/TTY电缆  5m  

6ES7 902-2AC00-0AA0 20mA/TTY电缆  10m  

6ES7 902-2AG00-0AA0 20mA/TTY电缆  50m  

6ES7 902-3AB00-0AA0 RS485/RS422电缆  5m  

6ES7 902-3AC00-0AA0 RS485/RS422电缆  10m  

6ES7 902-3AG00-0AA0 RS485/RS422电缆  50m  

6GK7 342-5DA02-0XE0 CP342-5通讯模块  

6GK7 342-5DF00-0XE0 CP342-5  光纤通讯模块  

6GK7 343-5FA01-0XE0 CP343-5通讯模块  

6GK7 343-1EX30-0XE0 CP343-1 以太网通讯模块  

6GK7 343-1EX21-0XE0 CP343-1 以太网通讯模块  

6GK7 343-1CX00-0XE0 CP343-1 以太网通讯模块  

6GK7 343-1CX10-0XE0 CP343-1 以太网通讯模块  

6GK7 343-1GX20-0XE0 CP343-1 IT  以太网通讯模块  

6GK7 343-1GX21-0XE0 CP343-1 IT  以太网通讯模块(支持PROFINET)  

6GK7 343-1HX00-0XE0 CP343-1PN PROFINET以太网通讯模块  

6GK7 343-2AH00-0XA0 CP343-2 AS-Interface

6ES7 312-1AE13-0AB0 CPU312，32K内存

6ES7 312-5BE03-0AB0 CPU312C，32K内存 10DI/6DO

6ES7 313-5BF03-0AB0 CPU313C，64K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO

6ES7 313-6BF03-0AB0 CPU313C-2PTP，64K内存 16DI/16DO

6ES7 313-6CF03-0AB0 CPU313C-2DP，64K内存 16DI/16DO

6ES7 314-1AG13-0AB0 CPU314,96K内存

6ES7 314-6BG03-0AB0 CPU314C-2PTP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO

6ES7 314-6CG03-0AB0 CPU314C-2DP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO

6ES7 315-2AG10-0AB0 CPU315-2DP, 128K内存

6ES7 315-2EH13-0AB0 CPU315-2 PN/DP, 256K内存

6ES7 317-2AJ10-0AB0 CPU317-2DP,512K内存

6ES7 317-2EK13-0AB0 CPU317-2 PN/DP,1MB内存

6ES7 318-3EL00-0AB0 CPU319-3 PN/DP,1.4M内存

S7-300

一般步骤

S7-300自动化系统采用模块化设计。它拥有丰富的模块，且这些模块均可以独立地组合使用。

一个系统包含下列组件：

CPU：

不同的 CPU 可用于不同的性能范围，包括具有集成 I/O 和对应功能的 CPU 以及具有集成 PROFIBUS DP、PROFINET 和点对点接口的 CPU。

用于数字量和模拟量输入/输出的信号模块 (SM)。

用于连接总线和点对点连接的通信处理器 (CP)。

用于高速计数、定位（开环/闭环）及 PID 控制的功能模块（FM）。

根据要求，也可使用下列模块：

用于将 SIMATIC S7-300 连接到 120/230 V AC 电源的负载电源模块(PS)。

接口模块 (IM)，用于多层配置时连接中央控制器 (CC) 和扩展装置 (EU)。

通过分布式中央控制器 (CC) 和 3 个扩展装置 (EU)，SIMATIC S7-300 可以操作多达 32 个模块。所有模块均在外壳中运行，并且无需风扇。

SIPLUS 模块可用于扩展的环境条件：

适用于 -25 至 +60℃ 的温度范围及高湿度、结露以及有雾的环境条件。防直接日晒、雨淋或水溅，在防护等级为 IP20 机柜内使用时，可直接在汽车或室外建筑使用。不需要空气调节的机柜和 IP65 外壳。

设计

简单的结构使得 S7-300 使用灵活且易于维护：

安装模块：

只需简单地将模块挂在安装导轨上，转动到位然后锁紧螺钉。

产业格局基本形成

电力电子领域

第三代半导体电力电子器件已初步具备产业化应用条件。目前有超过30家公司在电力电子领域拥有对SiC、GaN相关产品的生产、设计、制造与销售能力，但市场上能够批量稳定提供SiC、GaN产品的不超过1/3。

目前，第三代半导体电力电子产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。

美国在SiC领域独大，拥有Cree、II--VI、道康宁等具有很强竞争力的企业，并且占有SiC 70-80%的产量。

欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件、应用产业链，拥有英飞凌、意法半导体、Sicrystal、Ascatronl、IBS、ABB等半导体制造商，在电力电子市场拥有强大话语权。

日本是设备和模块开发方面的者，主要产商有罗姆、三菱电机、富士电机、松下、东芝、日立等。

GaN电力电子方面：

美国拥有较为完整产业链，在外延、器件及应用环节有Transform、EPC、GaN system、Powerex等企业。

欧盟在该领域的2家企业Azzurro、EpiGaN主要集中在外延环节。亚洲企业在材料环节占优。

日本信越、富士电机和台湾汉磊等在衬底和外延表现突出。

微波射频领域

在射频微波领域，目前约有超过30家企业已经从事GaN的研发生产，其中10家左右已经实现了GaN的量产化和商业化。

2016年，有5家企业进入该领域，且基本为中国企业，有2家退出，主要是Cree和NXP因出售相关业务退出了。

美国、欧洲、日本等在军事雷达和无线基站通信方面走在世界前列。

美国在GaN射频领域拥有Macom、Qorvo、Raytheon、Microsemi、Anadigics等企业。

欧洲拥有IQE、Ampleon、UMS、NXP等企业，在GaN应用于5G通信方面的研发成果较多，技术创新能力强。

日本在GaN射频领域的研发和应用，多数以民用通信为主，军事通信探测为辅。

光电领域

在半导体照明领域，LED企业包括美国Cree、荷兰Philip、德国Osram、日本Nichia、韩国三星、中国台湾地区晶元光电、中国三安光电、木林森等企业。

截至目前日亚化学在LED芯片方面的销售仍稳居，德国Osram、Philip Lumileds、韩国三星等在封装方面，中国大陆木林森也在2014-2015 年LED封装营收中进入前十。

在激光器方面，Nichia、Osram走在了国际前列。日本的住友电工、日立电缆等企业在衬底材料方面具有较深的技术储备；而美国的Kyma公司、法国的Lumilog公司也相续实现了2英寸GaN衬底的研发和产业化开发。

在探测器方面，美国通用电气（GE）公司于2008年已经发布了具有日盲特性，单光子探测效率可达到9.4%，而暗计数仅为2.5kHz的SAM结构4H-SiC APD。

国际上还有韩国的Genicom公司和日本的Kyosemi公司可以批量供应GaN紫外探测器，其中Genicom公司已经推出了多款GaN紫外探测器的模块化应用产品。

市场前景广阔可期

电力电力领域

SiC、GaN的电力电子器件市场在2016年正式形成。初步估计，2016年SiC电力电子市场规模在2.1亿-2.4亿美元之间，而GaN电力电子市场规模约在2000万-3000万美元之间，两者合计达2.3亿-2.7亿美元。而据IC insights数据，2016年功率半导体销售金额约124亿美元，意味着第三代半导体功率器件2016年的市场占有率已经达到2 %左右。

SiC、GaN在功率电子市场的前景看好。据Yole数据显示，2021年SiC市场规模将上涨到5.5亿美元，2016-2021年的复合年增长率（CAGR）将达到19%。

而Yole同时预测，GaN功率器件在未来五年（2016-2021年）复合年增率将达到86%，市场将在2021年达到3亿美元。

当然，SiC、GaN替代Si产品仍然为时甚早。据Lux研究公司数据，预计至2024年，第三代半导体功率电子的渗透率将达到13%，而Si产品仍将占据剩下的87%的市场份额。

微波射频领域

据Yole预测，2016-2020年GaN射频器件市场将扩大至目前的2倍，市场复合年增长率（CAGR）将达到4%；2020年末，市场规模将扩大至目前的2.5倍。

2015年，受益于中国LTE（4G）网络的大规模应用，带来无线基础设施市场的大幅增长，有力地刺激了GaN微波射频产业。2015年末，整个GaN射频市场规模接近3亿美元。

2017-2018年，在无线基础设施及国防应用市场需求增长的推动下，GaN市场会进一步放大，但增速会较2015年有所放缓。

2019-2020年，5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长。未来10年，GaN市场将有望超过30亿美元。

光电领域

随着技术进步，半导体照明的应用领域不断拓宽，市场规模不断增长。据美国产业研究机构Strategies Unlimited 2016年发布的显示，2015年，LED器件营收约147亿美元，预计2016年约152亿美元；2020年超过180亿美元。LED器件照明应用仍是主流应用，约占30%以上，并稳步增长；LED在汽车以及农业等应用逐年扩大。

近年来，LED照明产品的市场渗透率快速增长，特别是在新增销售量的渗透率有较快增长，但在已安装市场上，由于基数庞大，LED目前的（在用量）市场渗透率仍不高。

IHS数据显示，2015年LED灯安装数量在整体照明产品在用量中的渗透率仅为6%，预计2022年将接近40%，LED照明市场仍具较大增长潜力。

我国链条基本形成，产业初步启动

2016年，我国半导体照明产业整体产值达到5216亿元，较2015年同比增长22.8%；电力电子和微波射频产业处于起步阶段。

与国际水平相比，我国在第三代半导体衬底、外延材料、器件的整体技术水平落后3年左右；在第三代半导体光电子领域，LED技术水平已接近国际先进水平；在第三代半导体微电子应用方面，日、美、欧在地铁机车、新能源汽车、白色家电、光伏逆变器、雷达等领域开展了规模应用，而我国只在光伏逆变器、PFC电源、UPS、军用雷达等领域有小规模应用。

产业链条初具雏形

初步形成较完整创新研发和产业化体系。我国开展第三代半导体材料相关研究的国家重点实验室、国家工程中心、国家工程实验室20余家，各类产业化基地、试点城市超过50家。上、中、下游及设计、配套等各环节均开始出现一些厂商，初步形成了较为完整的产业链。

SiC材料体系方面，衬底环节有天科合达、河北同光、山东天岳等已经实现量产，外延环节有东莞天域、瀚天天成、正在投资进入，器件环节有泰科天润等。同时，扬州扬杰电子、世纪金光、中电55所、13所、国家电网、株洲南车等均在SiC电力电子全产业链体系进行了布局。